高迁移率OFET的制备
发布时间：2025-09-02
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成果基本信息
所属产业领域：柔性显示、电子材料等
成果联系人：史博士
联系电话：13937870792
是否先试用后付费：面议
成果介绍
高迁移率OFET的制备。在绝缘层修饰和电极缓冲层的协同作用下，将OFET的迁移率提高15倍以上，迁移率达到12cm2/Vs以上。该方法简单，适用于真空沉积的有机半导体材料的大面积加工，制备的器件性能均一。
